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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法-CN201880084984.2在审
发明人： A·B·穆里克;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;S·S·罗伊;Y·饶;R·弗里德;U·米特拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
蚀刻金属氧化物残留物较少方法

[发明专利]具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物-CN202211084009.6在审
发明人：埃马纽尔·I·库珀;斯蒂芬·里皮;宋凌雁 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C11D7/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物。特别的，本申请提供了一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。
具有金属电介质氮化物兼容性反射涂层清洗蚀刻残留物去除组成

[发明专利]一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液-CN201210410184.X有效
发明人：刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有（a）醇胺，（b）醇醚，(c)水，(d)邻苯三酚和/或其衍生物，e）没食子酸和/或其酯。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够同时去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物，同时对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本没有攻击。
一种蚀刻去除残留物清洗

[发明专利]一种去除玻璃蚀刻残留物的方法-CN201711009958.7在审
发明人：赵伟;蔡良照;黄泽魁;郑志智 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除玻璃蚀刻残留物的方法，包括如下步骤步骤1玻璃蚀刻完成后将蚀刻液排空，其中蚀刻液中含有氢氟酸；步骤2用分解剂浸泡玻璃蚀刻器具，直至沉积在玻璃蚀刻器具上的残留物95%以上溶解，所述分解剂为含硫酸铝的溶液本发明可有效溶解玻璃蚀刻后的残留物，清除率达99%以上，并减少了玻璃残渣清理时人力物力的投入，同时保证了员工身体健康，提高了玻璃蚀刻的均匀性，蚀刻玻璃质量得到改善。
一种去除玻璃蚀刻残留物方法

[发明专利]一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液-CN201210451687.1有效
发明人：刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 -专利权人：安集微电子科技(上海)股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有氟化物，有机溶剂，水，氧化剂以及螯合剂。本发明所公开的去除光阻蚀刻残留物的清洗液不含有任何无机或有机纳米或微米颗粒。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
一种去除蚀刻残留物清洗

[发明专利]具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物-CN201580035488.4在审
发明人：埃马纽尔·I·库珀;斯蒂芬·里皮;宋凌雁 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。
具有金属电介质氮化物兼容性反射涂层清洗蚀刻残留物去除组成

[发明专利]用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂-CN200380102230.9无效
发明人：迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·包姆 -专利权人：高极技术材料公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种用于从半导体基片上的微小区域去除灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的蚀刻后残留物清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO₂)、醇、氟源、铝离子络合剂和任选的阻蚀剂。此种清洗组合物克服了SCCO₂作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO₂的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质存在于蚀刻后残留物中并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去本清洗组合物能实现其上具有灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的基片的无损伤、无残留物清洗。
用于去除灰化蚀刻残留物临界二氧化碳化学制剂

[发明专利]一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液-CN201410116569.4在审
发明人：何春阳;刘兵;孙广胜;黄达辉 -专利权人：安集微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺，(b)醇醚，(c)水，(d)螯合剂，(e)肼及其衍生物。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，并且在能够去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击
一种蚀刻去除残留物清洗

[发明专利]一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法-CN200510072951.0有效
发明人：翁正明;林苗均;黄俊仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除晶片表面蚀刻残留物的方法，包含有：于该晶片上沉积一低介电常数层；于该低介电常数层上形成一金属层；于该金属层上形成一光致抗蚀剂层，包含一图案；将该光致抗蚀剂层的该图案转移至该金属层中，形成一金属图案；去除该光致抗蚀剂层；利用该金属图案作为蚀刻屏蔽，等离子体干蚀刻该低介电常数层，以形成一开孔，其中该等离子体干蚀刻导致该开孔沉积有残留物；进行一第一湿式处理，以软化该残留物；进行一干式等离子体处理，以裂解该残留物；以及进行一第二湿式处理，以完全去除该残留物。
一种去除晶片表面上蚀刻残留物方法

[发明专利]CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法-CN02826268.9无效
发明人： K·米克海利琴科;M·拉夫金;J·德拉里奥斯 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于半导体晶片的清洗方法，包括将一种特征等离子蚀刻入至具有光致抗蚀剂掩模的低K介电层中，此处等离子蚀刻产生蚀刻残留物(图4，204)。这种方法也包括磨光该半导体晶片，脱除在磨光形成磨光残留物处的光致抗蚀掩膜(图4，206)。此方法还包括脱除在低K介电层上的蚀刻残留物和磨光残留物，在此用一种施加有包括清洗化学品和润湿剂的流体混合物的湿刷子，擦洗该半导体晶片的低K介电层，增强了这种脱除(图4，208)。
coral 膜片蚀刻剥离残留物脱除方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202110709302.6在审
发明人：赖振益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括形成图案化硬遮罩在半导体材料层上、借由蚀刻工艺和图案化硬遮罩移除半导体材料层的一部分以形成数个半导体柱和数个沟槽。蚀刻工艺的过程中产生残留物在沟槽内。方法还包括移除残留物。移除残留物包括使用第一气相清洁工艺以移除残留物的至少一部分，以及在使用第一气相清洁工艺之后，使用第二气相清洁工艺以移除残留物的剩余部分。第一气相清洁工艺的条件不同于第二气相清洁工艺的条件。本发明提供的形成半导体结构的方法是使用多步骤的气相清洁工艺以移除半导体结构上的残留物作为蚀刻后清洁的操作。借由气体组成的选择以及工艺条件的安排，在进行蚀刻后清洁的操作中最小化对半导体结构的影响。
形成半导体结构方法

[发明专利]原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化-CN202080064672.2在审
发明人：萨曼莎·西亚姆华·坦;塔玛尔·穆克吉;杨文兵;吉里什·迪克西特;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法。提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻，其中所述原子层蚀刻形成至少一些残留物。提供离子束以蚀刻所述堆叠件，其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述残留物中的至少一些移除。
原子蚀刻离子束图案

[发明专利]用于去除蚀刻后残留物的水溶液-CN200580010600.5无效
发明人： R·梅利斯 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及具有改进性能的用于去除蚀刻后残留物的新型溶液及其在半导体生产中的应用。本发明还涉及在半导体生产过程中，对于必须无蚀刻后残留物和颗粒的金属层和表面具有降低的蚀刻速率的水溶液。
用于去除蚀刻残留物水溶液

[发明专利]用于去除残留物的水性清洗组合物及使用该组合物的方法-CN200610135974.6有效
发明人：吴爱萍;R·J·罗维托 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：在此描述了一种用于从基底上去除残留物的组合物和使用该组合物的方法，所述残留物例如但不限于蚀刻后和/或灰化后的光刻胶，等离子蚀刻、灰化产生的残留物，以及它们的混合物。一方面，提供了一种从基底上去除残留物的方法，该方法包括：用组合物接触基底，该组合物包括：水；季铵氢氧化物；含氟化合物；和任选的缓蚀剂，其中该组合物不含添加的有机溶剂并且其中该组合物的pH大于9。
用于去除残留物水性清洗组合使用方法

[发明专利]一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法-CN200810038694.2无效
发明人：于昊;彭洪修;刘兵 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法，利用超声波加载于清洗液清洗过程中和/或去离子水漂洗过程中，可以有效的去除很厚的蚀刻残留物，特别是含Ti、Ta等难溶金属的残留物，清洗效率高，工艺简单，成本低
一种半导体蚀刻残留物清洗方法

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